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研究人員研發(fā)六方氮化硼在芯片上的應(yīng)用

文章出處: 天元航材    責(zé)任編輯: 天元化工新材廠家    發(fā)布時(shí)間:2020-04-09 11:30:30    點(diǎn)擊數(shù):205    【
[導(dǎo)讀]: 隨著半導(dǎo)體芯片的不斷發(fā)展,運(yùn)算速度越來(lái)越快,芯片發(fā)熱問(wèn)題愈發(fā)成為制約芯片技術(shù)發(fā)展的瓶頸,熱管理對(duì)于開(kāi)發(fā)高性能電子芯片至關(guān)重要。

研究人員研發(fā)六方氮化硼在芯片上的應(yīng)用

隨著半導(dǎo)體芯片的不斷發(fā)展,運(yùn)算速度越來(lái)越快,芯片發(fā)熱問(wèn)題愈發(fā)成為制約芯片技術(shù)發(fā)展的瓶頸,熱管理對(duì)于開(kāi)發(fā)高性能電子芯片至關(guān)重要。 

此,研究人員開(kāi)發(fā)了一種共形六方氮化硼修飾技術(shù),在最低溫度300攝氏度的條件下,無(wú)需催化劑直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、藍(lán)寶石、單晶硅,甚至在具有三維結(jié)構(gòu)的氧化硅基底表面生長(zhǎng)高質(zhì)量六方氮化硼薄膜。共形六方氮化硼具有原子尺度清潔的范德瓦爾斯介電表面,與基底共形緊密接觸,不用轉(zhuǎn)移,可直接應(yīng)用于二硒化鎢等半導(dǎo)體材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這也是六方氮化硼在半導(dǎo)體與介電襯底界面熱耗散領(lǐng)域的首次應(yīng)用。

六方氮化硼 

據(jù)介紹,芯片散熱很大程度上受到各種界面的限制,其中導(dǎo)電溝道附近的半導(dǎo)體和介電基底界面尤其重要。氮化硼的衍生產(chǎn)品六方氮化硼是一種理想的介電基底修飾材料,能夠改善半導(dǎo)體和介電基底界面。然而,六方氮化硼在界面熱耗散領(lǐng)域的潛在應(yīng)用則往往被忽視。 “在這項(xiàng)技術(shù)中,共形六方氮化硼是直接在材料表面生長(zhǎng)的,不僅完全貼合、不留縫隙,還無(wú)需轉(zhuǎn)移。”魏大程研究員說(shuō)。這項(xiàng)技術(shù)將從嶄新的角度為解決芯片散熱問(wèn)題提供新思路。

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