六方氮化硼憶阻器

天元航材化工原料廠家的小編今天給大家介紹下關(guān)于六方氮化硼憶阻器的相關(guān)介紹，我們是一家生產(chǎn)六方氮化硼（白石墨、HBN）等氮化硼化工原料的廠家，已有50年的生產(chǎn)工藝經(jīng)驗(yàn)，那么您了解什么是六角氮化硼二維薄膜的憶阻器嗎？六方氮化硼的各種缺陷對憶阻器性能有啥影響？一起來看看吧！

憶阻器，全稱記憶電阻器。最早提出憶阻器概念的人是華裔科學(xué)家蔡少棠。憶阻器是代表磁通量和電荷之間關(guān)系的電路器件。因此，憶阻器可以在很多領(lǐng)域發(fā)揮很大的作用，特別是在計(jì)算機(jī)運(yùn)算與存儲、突觸網(wǎng)絡(luò)的研究中，現(xiàn)在人們越來越重視憶阻器的研究。

那么憶阻器是如何制作的呢？

六方氮化硼（H-BN）是一種新型寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有高導(dǎo)熱性、熱膨脹系數(shù)、強(qiáng)熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性和高電阻率。它是制造憶阻器的首選材料。然而，基于超薄h-BN的憶阻器件一般存有工作電流高、不穩(wěn)定的和適用期限短等難題，限定了這類憶阻器件在數(shù)據(jù)儲存方面的不斷發(fā)展。

以下小編給大家介紹下關(guān)于六方氮化硼的各種缺陷對憶阻器器件電學(xué)性能的影響

1、Au/H-BN/Au垂直交叉晶格憶阻器陣列分別由CVD生長的單層和多層H-BN制成。在單層H-BN和多層H-BN基憶阻器樣品中測試了100個(gè)器件，器件的產(chǎn)率分別為5%（單層H-BN基憶阻器）和98%（多層H-BN基憶阻器）。單層H-BN在轉(zhuǎn)移過程中受外應(yīng)力影響容易形成表面裂紋，大大降低了憶阻器器件的良率。
2、每個(gè)器件的初始電阻值是從9個(gè)不同的陣列中測量的。這些陣列的產(chǎn)率從56.25%到100%不等，平均產(chǎn)率為82.29%。根據(jù)SEM圖像和掃描原子力顯微鏡（AFM）形貌，H-BN的主要表面缺陷是褶皺和雜質(zhì)殘留，兩者都會引起樣品表面形貌的變化。這兩類表面缺陷的具體比例可以通過AFM形貌和AFM軟件分析得到?？梢钥闯?，表面褶皺/雜質(zhì)殘留濃度與器件的初始電阻值之間沒有明顯的相關(guān)性。
3、4個(gè)不同的Au/多層H-BN/Au憶阻器的50個(gè)雙極憶阻器循環(huán)分別對應(yīng)于這4個(gè)器件的4種不同的AFM形態(tài)及其缺陷率的比值。這些數(shù)據(jù)進(jìn)一步證明，轉(zhuǎn)移過程中引入的二維層狀材料的形貌缺陷，如表面褶皺和殘留雜質(zhì)濃度，對Au/H-BN/Au憶阻器的電學(xué)性能沒有顯著影響。
4、H-BN薄膜（生長在Cu表面）的形貌和電流通過原子力顯微鏡（CAFM）同步獲得。在三個(gè)方面：
1)H-Bn生于Cu的晶界；
2）在H-BN晶體本身的晶界處；
3）在H-BN晶界內(nèi)的隨機(jī)位置發(fā)現(xiàn)了集中的漏電流。這些收集相對高電流的位置主要與原子鍵合缺陷有關(guān)。

5、Au/多層H-BN/Au憶阻器的器件尺寸由微米級縮小到納米級，并在100%uD7100交叉晶格納米級器件中研究了二維h-BN各種缺陷對其電學(xué)性能的影響.

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